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量产3DVNAND三星在NANDFlash市场独占鳌头OFweek电子工程网dd-【新闻】

发布时间:2021-04-05 15:20:19 阅读: 来源:卷帘机厂家

量产3D V-NAND 三星在NAND Flash市场独占鳌头 - OFweek电子工程网

OFweek电子工程网讯:南韩三星电子(Samsung Electronics)第2季NAND Flash营收比前季增加8.2%,营收市场占有率也比第1季上升0.8%。以超前竞争业者不少的3D V-NAND技术力为基础,意味 Fast Mover 战略在NAND Flash市场上奏效。 3D V-NAND是以3D堆叠技术增加存储器储存空间,因为能突破10纳米微细制程的限制,成为业界瞩目的一项创新技术,目前只有三星电子投入量产。业界人士表示,传统水平结构的NAND Flash芯片,尺寸就算小于15纳米,都很难增加到256GB以上容量,但3D垂直堆叠方式,理论上可达到4,100GB以上。 更多在小型移动装置的资料处理量增加、因巨量资料产生的伺服器需求上升等因素影响下,3D V-NAND市场可望急速成长,带动三星电子市场占有率继续升高。 据Digital Times报导,三星电子 Fast Mover 战略乃是以全球最早量产的3D垂直架构NAND Flash提高市场占有率。依照市调机构的数据,三星电子第2季NAND Flash营收23.53亿美元,比前季增加8.2%。营收市场占有率也比第1季上升0.8%,达30.8%。 另一方面,市场占有率第二名的东芝(Toshiba),第2季营收比前季成长1.2%,但市场占有率20.5%,比前季下滑0.9%。 市调机构IHS iSuppli预估,3D V-NAND在2014年第2季市场占有率为0.2%,销售量将以第3季0.5%、第4季1.1%的水准快速成长,2015年底可望达全体市场的9.1%,而这个数字短期内将由唯一的生产业者三星电子独享。 三星电子2013年8月首度量产V-NAND,2014年5月投入量产24层的新一代V-NAND,8月又发表业界最早应用TLC(Triple-Level Cell)技术的32层TLC V -NAND。业界也预期,三星电子将在2016年完成48层产品开发。 反观竞争对手东芝要到2015年下半,才有机会推出24层产品;SK海力士(SK Hynix) 、英特尔(Intel)与美光(Micron)的合资企业IMFT,也预定在2015年初投入24层产品量产,显见三星电子的技术力已超前竞争对手不少。 不过,最近东芝也批评三星电子,表示32层与水平NAND Flash的性能差异不大,反而会增加成本。三星之所以量产未完成的3D V-NAND,意在操弄市场品牌策略。此番言论也可看出东芝等竞争业者,对三星电子的行动相当紧张。

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